本文為大家介紹“Si晶體管”(之所以前面加個Si,是因為還有其他的晶體管,例如SIc)。
雖然統稱為“Si晶體管”,但根據制造工藝和結構,還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外,還可根據處理的電流、電壓和應用進行分類。
下面以“功率元器件”為主題,從衆多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中,将以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。
先來看一下晶體管的分類與特征。
Si晶體管的分類
Si晶體管的分類根據不同分類角度,有幾種不同的分類方法。在這裡,從結構和工藝方面粗略地分類如下。其中,本篇的主題“功率類”加粗/塗色表示。
雙極晶體管和MOSFET中,分功率型和小信号型,IGBT原本是為處理大功率而開發的晶體管,因此基本上僅有功率型。
順便提一下,MOSFET為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫,是場效應晶體管 (FET) 的一種。IGBT為Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。
Si晶體管的特征
下面就雙極晶體管、MOSFET、IGBT,彙總了相對于晶體管的主要評估項目的特征。
對于各項目的評估是基于代表性的特性進行的,因此存在個别不吻合的内容。請理解為整體的傾向、特征。另外,這些晶體管的結構、工作原理與代表性的參數如下。
雙極晶體管(圖中以NPN為例)由PN結組成,通過在基極流過電流,而在集電極-發射極間流過電流。如前面的特征彙總表中所示,關于驅動,需要根據與放大系數、集電極電流之間的關系來調整基極電流等。與MOSFET顯著不同的是,用于放大或導通/關斷的偏置電流會流經晶體管(基極)。
另外,MOSFET中有稱為“導通電阻”的參數,尤其是處理大功率時是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導通電阻”這個參數。世界上最早的晶體管是雙極晶體管,所以可能有人說表達順序反了,不過近年來,特别是電源電路中MOSFET是主流,可能很多人都是從MOSFET用起來的,因此這裡以MOSFET為主。下面言歸正傳。與雙極晶體管的導通電阻相對應的是VCE(sat),這是集電極-發射極間的飽和電壓。這是流過既定的集電極電流時,即晶體管導通時的電壓降,因此可通過該值求得導通時的電阻。
MOSFET(圖中以Nch為例)通過給栅極施加電壓在源極與漏極間創建通道來導通。另外,栅極通過源極及漏極與氧化膜被絕緣,因此不會流過 “導通”意義上的電流。但是,需要被稱為“Qg”的電荷。
關于MOSFET,将再次詳細介紹。
IGBT為雙極晶體管與MOSFET的複合結構。是為了利用MOSFET和雙極晶體管的優點而開發的晶體管。
與MOSFET同樣能通過栅極電壓控制進行高速工作,還同時具備雙極晶體管的高耐壓、低導通電阻特征。
工作上與MOSFET相同,通過給栅極施加電壓形成通道來流過電流。結構上MOSFET(以Nch為例)是相同N型的源極與漏極間流過電流,而IGBT是從P型的集電極向N型的發射極流過電流,也就是與雙極晶體管相同。因此,具有MOSFET的栅極相關的參數,以及雙極晶體管的集電極-發射極相關的參數。
基本工作特性比較
這三種晶體管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相對于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作開關,因此一般盡量在Vce/Vds較低的條件下使用。這是在使用的電路條件下,探讨哪種晶體管最适合時的代表特性之一。
來源:21ic電子
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