這兩天的手機圈都被三星Galaxy Fold刷屏了，作為第一款可量産上市的折疊屏手機，Galaxy Fold的強悍毋庸置疑，4.6英寸 7.3英寸内外雙屏、骁龍855移動平台、前後6顆攝像頭，除了價格昂貴以外絕對爽口。

　　實際上，三星Galaxy Fold還有一項容易被我們忽視的賣點，那就是全球首發UFS3.0閃存芯片。

　　在手機領域，雖然SoC越來越強，内存和存儲空間越來越大，攝像頭都能拍月亮了，但就存儲性能而言，其卻始終是綜合表現的最大短闆。

　　目前手機圈流行的閃存主要以eMMC5.1、UFS2.1單通道，以及UFS2.1雙通道為主，我們可以通過AndroBench和魯大師對其性能一下跑分對比。

　　eMMC5.1的性能最低，它經常與骁龍4系、骁龍6系、骁龍7系、麒麟6系、麒麟7系、聯發科Helio P系列搭配，主要定位在2000元價位以内的主流市場。其在AndroBench中的持續讀寫速度分别為281MB/s和214MB/s。

　　eMMC5.1閃存性能

　　UFS2.1根據通道數量的不同，性能存在很大的差距。其中，單通道UFS2.1主要和骁龍7系結合，定位中高端，在AndroBench中的持續讀寫速度分别為500MB/s和201MB/s。

　　UFS2.1單通道閃存性能

　　雙通道UFS2.1主要和骁龍8系、麒麟9系結合，定位高端，在AndroBench中的持續讀寫速度分别為822MB/s和242MB/s。

　　UFS2.1雙通道閃存性能

　　作為最頂級的UFS3.0，在2019年Q1才剛剛量産，是骁龍855的夢幻裝備，在AndroBench中的持續讀寫速度可分别達到1507MB/s和396MB/s，較雙通道UFS2.1提升了80%以上！

　　UFS3.0閃存性能

　　UFS3.0閃存性能

　　細心的童鞋不難發現，貌似eMMC5.1h和UFS2.1在持續寫入速度上的差距不大，是不是代表它們寫入數據時的實際表現相近？答案自然是否定的，随機讀寫（4K）性能才是和實際操作最密切相關的指标，eMMC5.1和UFS相比差的可不是一點半點。

　　魯大師

　　順序讀取

　　順序寫入

　　随機讀取

　　随機寫入

　　SQLite Insert

　　SQLite Update

　　SQLite Delete

　　彙總表格

　　總的來說，UFS3.0的綜合性能，特别是持續讀寫速度有着秒殺UFS2.1前輩的表現，隻是在随機讀寫和SQLite性能上，卻依舊和雙通道的UFS2.1持平，有些小遺憾。

　　最後，咱們再來科普一下eMMC和UFS閃存的基礎知識吧：

　　eMMC：

　　Embedded Multi Media Card，它是在NAND閃存芯片的基礎上，額外集成了主控制器，并将二者“打包”封裝封成一顆BGA芯片，從而減少了對PCB主闆的空間占用，也是移動設備中普及度最高的存儲單元。eMMC的性能會随着總線接口的升級而提升，而目前最新的标準就是eMMC 5.1。

　　UFS：

　　Univeral Flash Storage，我們可以将它視為eMMC的進階版，是由多個閃存芯片、主控、緩存組成的陣列式存儲模塊。UFS彌補了eMMC僅支持半雙工運行（讀寫必須分開執行）的缺陷，可以實現全雙工運行，所以性能得以翻番。

　　UFS2.x

　　UFS早前被細分為UFS 2.0和UFS 2.1，它們在讀寫速度上的強制标準都為HS-G2（High speed GEAR2），可選HS-G3标準。而兩套标準又都能運行在1Lane（單通道）或2Lane（雙通道）模式上，一款手機能取得多少讀寫速度，就取決于UFS閃存标準和通道數，以及處理器對UFS閃存的總線接口支持情況。

　　UFS3.0

　　UFS 3.0引入了HS-G4規範，單通道帶寬提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。而由于UFS支持雙通道雙向讀寫，所以UFS 3.0的接口帶寬最高可達23.2Gbps，也就是2.9GB/s。此外，UFS 3.0支持的分區增多（UFS 2.1是8個），糾錯性能提升且支持最新的NAND Flash閃存介質。

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