IGBT是絕緣栅雙極型晶體管。是由BJT雙極型三極管和MOS絕緣栅型場效應管組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
靜态特性:IGBT 的靜态特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與栅極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受栅源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似。也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀态下的IGBT ,正向電壓由J2 結承擔,反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區,則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平,加入N+緩沖區後,反向關斷電壓隻能達到幾十伏水平,因此限制了IGBT 的某些應用範圍。
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