若把U盤作為一個整體,溫度超過260度時,焊錫會開始熔化;三四百度的時候電路闆會焦掉。總的來說,作為整體U盤必毀。如果隻是考慮存儲芯片内的數據,内存的信息是靠浮栅上鎖住的遊離電荷來記錄的。具體來說,每個存儲單元是一個雙層多晶矽的晶體管,其中有一層多晶矽是與其他部分電氣隔離的,稱為浮栅。在一定的電壓下,一部分電荷會跑到浮栅上或離開浮栅;但在正常電壓下,浮栅上的電荷無法移動,就是不會丢失的信息。在高溫下,浮栅上電荷的隧穿效應會增強。隻要溫度足夠高,浮栅上的電荷量就會很快漏光,導緻數據丢失。
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