内存卡是以單晶體管作為二進制信号的存儲單元,晶體管中加入了浮動栅和控制栅。浮動栅用于貯存電子,表面被一層矽氧化物絕緣體所包覆,并通過電容與控制栅相耦合。當負電子在控制栅的作用下被注入到浮動栅中時,NAND單晶體管的存儲狀态就由1變成0,而當負電子從浮動栅中移走後,存儲狀态就由0變成1。包覆在浮動栅表面的絕緣體的作用就是将内部的電子“困住”,達到保存數據的目的。
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