X-NAND讓QLC變SLC?
大家可能聽說過Neo Semiconductor,它在去年提出了一項名為X-NAND的技術,宣稱可以解決MLC、TLC、QLC以及PLC(5bit/cell)的速度遞減問題,在不增加制造成本的情況下将SSD的順序讀取速度提高27倍、順序寫入速度提高15倍、随機讀寫性能提高3倍,讓QLC閃存實現SLC的性能,并且還不會有SLC緩存用完性能暴跌的危機。
今年這家公司又提出了第二代X-NAND架構,技術上看依然是利用4到16個子平面來增加數據吞吐帶寬,不同之處在于數據現在先被編程到同個平面的SLC字線(而不是三個單獨的平面),然後編程至第二個平面中的TLC字線實現最終存儲。
由于位線長度的縮短,X-NAND還可以帶來随機讀寫性能提升和功耗下降的附加效果。
Neo聲稱他們的技術IP可以被應用在包括SLC、MLC、TLC、QLC和PLC的各種類型閃存當中,并且不會增加制造成本。第二代X-NAND在前不久結束的FMS 2022閃存峰會上獲得了“最具創新性内存技術”的“最佳展示”獎,不過目前還沒有任何一家閃存制造商使用Neo的X-NAND技術來制造閃存。
MemTest86内存測試工具升級:
PassMark剛剛升級了其MemTest86内存測試工具軟件,現在MemTest86能夠更好地支持DDR5内存,快速和精确地發現存在缺陷和引發錯誤的内存條。
新版MemTest可以在在雙通道模式運行的DDR5平台(如12代酷睿搭配Z690主闆)上提供更精細的檢測結果,可以具體到特定内存條的某一個芯片上。
過去檢測内存時需要重複多次才能找出具體哪根内存有問題,有了這個新功能之後找出答案的速度就更快了。
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