我們都知道，手機内存（RAM）越大性能和體驗越好。但除了容量，還有很多因素會影響手機内存的性能。

手機内部的内存（RAM）和存儲芯片（ROM，又稱閃存）不要混淆哦

内存标準

如今手機内存主要以LPDDR4X和LPDDR5兩種标準為主。LPDDR5相比較于LPDDR4X，綜合場景續航提升大約10%，玩遊戲省電大約20%，微信視頻和語音續航大約提升10%，一句話概括就是性能更強，功耗更低。實際上，從LPDDR3→ LPDDR4→ LPDDR4X→ LPDDR5，下一代内存較之前輩都具備上述優勢。

内存頻率

我們都知道，内存頻率越高，性能越強。LPDDR4X就存在LPDDR4X-1866（等效3733MH）和LPDDR4X-2133（等效4266MHz）兩種頻率，LPDDR5也包含LPDDR5-2750（等效5500MHz）和LPDDR5-3200（等效6400MHz）兩種頻率，現在很多旗艦手機搭載的所謂“滿血LPDDR5内存”，指的就是LPDDR5-3200标準。

内存通道

手機專用的LPDDR内存默認均為16bit位通道。以骁龍7系、6系、4系為代表的中低端移動平台都是2×16bit，即16位雙通道（共計32位）；而骁龍8系移動平台則是4×16bit，即16位四通道（共計64位）。此外，旗艦級芯片普遍還能搭配更高頻率的LPDDR5内存，所以它們才能保持對中端芯片的全面壓制。

内存管理機制

iPhone手機的内存遠不如同期的Android旗艦，但前者卻依舊能保持良好的流暢性，也很少聽說因内存不夠用而導緻系統卡頓，在這背後就是内存的調用和回收等管理機制邏輯有别了。配置一模一樣的Android手機，打開相同數量的APP總有一款更流暢，說明其研發團隊的“軟實力”更強。

RAM Boost技術

RAM Boost最早出現在2019年上市的一加7 Pro身上，可以讓8GB内存的一加7 Pro擁有等同于12GB内存競品的多任務後台能力。

2021年，幾乎所有的中高端新品都開始支持類似的RAM Boost技術。

榮耀X30i

真我Q3s

所謂的RAM Boost即内存虛拟快速擴展技術，我們可以将它理解為PC領域的“虛拟内存技術”，即将部分硬盤容量虛拟為内存，當後台程序快要擠滿内存時，将部分程序劃分到虛拟内存中。RAM Boost的原理和其類似——用手機閑置的ROM閃存來接納來自物理内存的碎片。

同時打開無數程序本來就是手機使用上的僞需求

但是，ROM閃存的讀寫速度遠不如RAM内存，如果你真的在後台同時駐留數十個應用，同時擠滿RAM和ROM虛拟出來的内存時，系統流暢性肯定會受到影響。因此，RAM Boost并不能提升内存性能，它隻能同時在内存中駐留更多程序。與其指望它帶來驚喜，還不如期待手機可以直接搭配更大的内存以及更具效率的内存管理機制呢。

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