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内存外存和硬盤

科技更新时间:2024-11-29 05:35:13

盡管量子計算機概念非常吸引人，但不得不承認它在短期内無法實用化。現階段引領電腦性能躍進的除了越來越多的CPU核心之外，還有高速存儲媒介的發展。

内存外存和硬盤（内存和硬盤不斷模糊化）1

高速存儲可以概括為兩種，一種是速度更快的緩存，一種是容量更大的存儲級内存，二者共同特點是斷電後不丢失數據。也就是說傳統意義上的"運行内存"将變得越來越像過去我們所說的"外存"（如硬盤）。

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近日英特爾宣布了顆用于CPU四級緩存的STT-MRAM技術研究進展。從分類上來看，它屬于速度更快的緩存。目前的原型産品容量為2MB，在耐用性和誤碼率方面已經可以滿足作為片内L4緩存使用的需求。

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這顆2MB容量的STT-MRAM原型産品具備20ns寫入延遲、4ns讀取延遲，能夠在110度條件下維持1秒的記憶——對于頻繁交換數據的CPU緩存來說已經足夠長。如果這項技術能夠實用化，英特爾CPU或許可以在制程工藝落後的條件下重新找到新的性能增長點。

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英特爾的關注點在于利用新的存儲技術提升CPU效能。而作為閃存發明者的東芝将目光轉向了發展速度更快、能部分取代内存作用的新型高速閃存XL-Flash。

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XL-Flash是經過魔改優化的3D SLC閃存。NAND閃存本身就具備斷電不丢失的特點，東芝通過使用SLC形态、優化4K Page和16-Plane架構，大幅改進其随機讀寫性能（讀取延遲降低10倍左右），使其更接近内存用途。

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目前NAND閃存和DRAM内存之間還有着較大的性能鴻溝，即便是東芝RD500這樣的旗艦級NVMe固态硬盤也無法同RAMDISK内存盤比拼效能。

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不過待XL-Flash在2020年實現量産之後，我們或許會看到完全不同的新局面。

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除了存儲内存應用之外，東芝還有計劃将XL-Flash同3D QLC閃存搭配使用，整合前者高性能和後者大容量的優勢。

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當然了，高新技術問世之初肯定都是以企業級應用為主。作為普通玩家着眼現在能買的到的選擇，存儲極客推薦東芝近期推出的RC500 NVMe固态硬盤。作為定位主流級的型号，RC500完整繼承了旗艦級RD500的DRAM緩存，PCMark 8實用效能分數比肩三星970Evo Plus和西數黑盤等一衆旗艦級型号，而價格僅為後者的六成左右。

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