在金譽半導體的産品列表中，每個産品都有很多參數，密密麻麻的參數不清楚究竟表達了什麼意思，那今天來看看MOS管的産品參數分别是什麼含義呢？

中文部分的不用過多解釋，接觸過半導體行業的人一般都能理解，所以今天着重解釋一下英文部分的參數含義（金譽半導體官網目前隻展示了部分重要參數）。

Vds

也就是電壓，這是MOS管極限參數表示MOS管漏極與源極之間的最大電壓值。值得注意的是，該參數與結溫有關，通常結溫越高，該值最大。

Rds(on)

漏源導電阻，表示MOS管在一定條件下導通時，洩漏極之間的導通電阻。這個參數和MOS管結溫，驅動電壓Vgs相關。在一定範圍内，結溫越高，Rds驅動電壓越高，Rds越小。

Id

漏極電流通常有幾種不同的描述方法。根據工作電流的形式，連續洩漏電流和一定脈寬的脈沖洩漏電流(Pulsed drain current)。這個參數同樣是MOS管一個極限參數，但這個最大電流值并不意味着洩漏電流可以在運行過程中達到這個值。這意味着當殼體溫度在一定值時，如果MOS管如果工作電流為上述最大洩漏電流，結溫将達到最大值。因此，該參數還與設備包裝和環境溫度有關。

Vgs

這也是栅源最大的驅動電壓MOS管極限參數表示MOS管一旦驅動電壓超過這個極限值，即使在很短的時間内，也會對栅極氧化層造成永久性傷。一般來說，隻要驅動電壓不超過極限，就不會有問題。然而，在某些特殊情況下，由于寄生參數的存在，它将是正确的Vgs需要特别注意電壓的不可預測影響

Idm

最大脈沖DS電流.它會随着溫度的升高而降低，反映抗沖擊性，這也與脈沖時間有關

Pd

最大耗散功率

Tj

最大工作溫度通常為150度和175度

Tstg

最大存儲溫度

Iar

雪崩電流

gfs

跨導，是指洩漏電極輸出電流與栅源電壓變化之比，是栅源電壓控制洩漏電流的能力。

Qg

在驅動信号的作用下，栅極電壓從0V上升至終止電壓(如15V)所需的充電電荷。也就是說，MOS管驅動電路從截止狀态到完全導通狀态所需的電荷是評估MOS管驅動電路驅動能力的主要參數。

Qgs

G總充電電量

Ear

重複雪崩擊穿能量

Eas

重複雪崩擊穿能量

BVdss

雪崩擊穿電壓

Idss

IDSS表示洩漏電流，栅極電壓VGS=0、VDS一定值時漏源，mA級

Igss

IGSS表示栅極驅動漏電流，越小越好，對系統效率影響較小，uA級的電流

Qgd

栅漏充電(考慮到Miller效應)電量

Td(on)

延遲時間，從輸入GS電壓上升到 10%，開始到 VDS 下降到其幅值 90%。

Tr

上升時間，輸出電壓 VDS 時間從90%下降到10%。

Td(off)

關閉延遲時間，從輸入GS電壓下降到 90%到 VDS 上升到其關斷電壓時 10%的時間。

Tf

下降時間，輸出電壓VDS時間從10%上升到90%

Ciss

輸入電容，Ciss=Cgd Cgs. 短接洩漏源，用交流信号測量的栅極與源極之間的電容為輸入電容。Ciss由栅漏電容Cgd和栅源電容Cgs并聯而成。

Coss

輸出電容，Coss=Cds Cgd. 用交流信号測量的洩漏極與源極之間的電容器短接栅源。Coss由漏源電容Cds并聯網源電容。

Crss

反向傳輸電容，Crss=Cgc.在源極接地的情況下，測量漏極與栅極之間的電容相當于反向傳輸電容（Cgd越低越好）

最大額定參數

最大額确定參數，所有數值取得條件(Ta=25℃)

以上就是MOS管的各項參數所表示的含義，你們了解了嗎？如有遺漏，歡迎在評論區補充噢~

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