【嘉德點評】SK海力士此項專利的相關介紹，HBM2E标準最早是三星及SK海力士提出的，現在成了國際标準，由此可以見得SK海力士在高帶寬存儲領域的技術實力不容小觑。

集微網消息，韓國半導體巨頭SK海力士已經開發出新一代DRAM内存HBM2E。據悉，這一代的HBM2E采用了TSV矽通孔技術。HBM2E，可以看作HBM2（第二代高帶寬存儲器）的升級版，而穿透矽通孔 (Through Silicon Via, TSV)則是三維集成電路中堆疊芯片實現互連的一種新的技術解決方案。

現如今，開發具有用于下一代高性能計算機的高帶寬的半導體模塊越來越受到關注。通常，所提出的半導體模塊包括主機處理器件和多個層疊的存儲器件(即，存儲器疊層)，存儲器疊層可以使用TSV來與處理器件通信。一般而言，TSV布置在公共區中，但由于其不能區分頻繁/非頻繁訪問的數據，進而導緻存儲器疊層的效率降低。

為此，SK海力士申請了一項名為“包括具有TSV的存儲器疊層的半導體模塊”的發明專利（申請号：201910934470 .8），申請人為SK海力士有限公司。

圖1 半導體模塊縱向截面示意圖

圖1是此專利提出的半導體模塊100的縱向截面圖。參考圖1，半導體模塊100主要包括：模塊闆10、中介層20、并排安裝在中介層20上的處理器件30和存儲器疊層40。

其中，存儲器疊層40A、40B分别包括基底裸片50A和50B以及層疊在基底裸片上的多個存儲器裸片51A~54A、51B~54B。除此之外，存儲器疊層還含有中央TSV 61以及非中央TSV 62。中央TSV 61可以設置成靠近垂直平分存儲器疊層40A和40B的虛拟中心線，而非中央TSV62A和62B可以從虛拟中心線移動到外部，以便與虛拟中心線間隔開。

圖2 存儲器裸片内部布局示意圖

圖2（左）和圖2（右）是圖1中所示的存儲器裸片51A~54A和51B~54B的内部塊布局示意圖。存儲器裸片主要包括：外存儲體區75、中央TSV區76、内存儲體區77以及非中央TSV區78。

其中，外存儲體73Aa、73Ab和73Ba、73Bb分别設置在外存儲體區75A和75B中，中央TSV 61A和61B則是處在中央TSV區76A和76B裡。此外，内存儲體74Aa1~74Ab4和74Ba1~74Bb4位于内存儲體區77中，并且内存儲體74Aa1~74Ab4和74Ba1~74Bb4可以分别共享非中央TSV 62A和62B。

通過将外存儲體分别劃分成4塊來分配内存儲體74Aa1~74Ab4和74Ba1~74Bb4。例如，4個内存儲體74Aa1~74Aa4可以形成外存儲體73Aa，4個内存儲體74Ab1~74Ab4可以形成外存儲體73Ab等。這樣就使得，内存儲體可以經由非中央TSV62A和62B與處理器件30通信，而外存儲體可以通過中央TSV 61A和61B與處理器件30通信。

以上就是關于SK海力士此項專利的相關介紹，HBM2E标準最早是三星及SK海力士提出的，現在成了國際标準，由此可以見得SK海力士在高帶寬存儲領域的技術實力不容小觑。

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（校對/holly）

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