半導體制作工藝的命名規則?一、 中國半導體器件型号命名方法，我來為大家科普一下關于半導體制作工藝的命名規則?以下内容希望對你有幫助!

半導體制作工藝的命名規則

一、 中國半導體器件型号命名方法

半導體器件型号由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、複合管、PIN 型管、激光器件的型号命名隻有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：

第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2－二極管、3－三極管

第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A－N 型鍺材料、B－P 型鍺材料、C－N 型矽材料、D－P 型矽材料。表示三極管時：A－PNP 型鍺材料、B－NPN型鍺材料、C－PNP 型矽材料、D－NPN 型矽材料。

第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的内型。P－普通管、V－微波管、W－穩壓管、C－參量管、Z－整流管、L－整流堆、S－隧道管、N－阻尼管、U－光電器件、K－開關管、X－低頻小功率管（F3MHz，Pc1W）、A－高頻大功率管（f＞3MHz，Pc＞1W）、T－半導體晶閘管（可控整流器）、Y－體效應器件、B－雪崩管、J－階躍恢複管、CS－場效應管、BT－半導體特殊器件、FH－複合管、PIN－PIN 型管、JG－激光器件。

第四部分：用數字表示序号

第五部分：用漢語拼音字母表示規格号

例如：3DG18 表示 NPN 型矽材料高頻三極管

二、日本生産的半導體分立器件

由五至七部分組成。通常隻用到前五個部分，其各部分的符号意義如下：

第一部分：用數字表示器件有效電極數目或類型。0－光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1－二極管、2 三極或具有兩個 pn 結的其他器件、3－具有四個有效電極或具有三個 pn 結的其他器件、┄┄依此類推。

第二部分：日本電子工業協會 JEIA 注冊标志。S－表示已在日本電子工業協會 JEIA 注冊登記的半導體分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A－PNP 型高頻管、B－PNP 型低頻管、C－NPN 型高頻管、D－NPN 型低頻管、F－P 控制極可控矽、G－N 控制極可控矽、H－N 基極單結晶體管、J－P 溝道場效應管、K－N 溝道場效應管、M－雙向可控矽。

第四部分：用數字表示在日本電子工業協會 JEIA 登記的順序号。兩位以上的整數－從“11”開始，表示在日本電子工業協會 JEIA 登記的順序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序号；數字越大，越是近期産品。

第五部分：用字母表示同一型号的改進型産品标志。A、B、C、D、E、F 表示這一器件是原型号産品的改進産品。

美國半導體分立器件型号命名方法

三、美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。

美國電子工業協會半導體分立器件命名方法如下：

第一部分：用符号表示器件用途的類型。JAN－軍級、JANTX－特軍級、JANTXV－超特軍級、JANS－宇航級、（無）－非軍用品。

第二部分：用數字表示 pn 結數目。1－二極管、2＝三極管、3－三個 pn 結器件、n－n 個 pn 結器件。

第三部分：美國電子工業協會（EIA）注冊标志。N－該器件已在美國電子工業協會（EIA）注冊登記。

第四部分：美國電子工業協會登記順序号。多位數字－該器件在美國電子工業協會登記的順序号。

第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄－同一型号器件的不同檔别。如：JAN2N3251A 表示 PNP 矽高頻小功率開關三極管，JAN－軍級、2－三極管、N－EIA 注冊标志、3251－EIA 登記順序号、A－2N3251A 檔。

四、 國際電子聯合會半導體器件型号命名方法

德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯合會半導體分立器件型号命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符号及意義如下：

第一部分：用字母表示器件使用的材料。A－器件使用材料的禁帶寬度 Eg＝0．6～1．0eV 如鍺、B－器件使用材料的 Eg＝1．0～1．3eV 如矽、C－器件使用材料的 Eg＞1．3eV 如砷化镓、D－器件使用材料的 Eg＜0．6eV 如銻化铟、E－器件使用複合材料及光電池使用的材料

第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。A－檢波開關混頻二極管、B－變容二極管、C－低頻小功率三極管、D－低頻大功率三極管、E－隧道二極管、F－高頻小功率三極管、G－複合器件及其他器件、H－磁敏二極管、K－開放磁路中的霍爾元件、L－高頻大功率三極管、M－封閉磁路中的霍爾元件、P－光敏器件、Q－發光器件、R－小功率晶閘管、S－小功率開關管、T－大功率晶閘管、U－大功率開關管、X－倍增二極管、Y－整流二極管、Z－穩壓二極管。

第三部分：用數字或字母加數字表示登記号。三位數字－代表通用半導體器件的登記序号、一個字母加二位數字－表示專用半導體器件的登記序号。

第四部分：用字母對同一類型号器件進行分檔。A、B、C、D、E┄┄－表示同一型号的器件按某一參數進行分檔的标志。

除四個基本部分外，有時還加後綴，以區别特性或進一步分類。常見後綴如下：

1、穩壓二極管型号的後綴。其後綴的第一部分是一個字母，表示穩定電壓值的容許誤差範圍，字母 A、B、C、D、E 分别表示容許誤差為±1％、±2％、±5％、±10％、±15％；其後綴第二部分是數字，表示标稱穩定電壓的整數數值；後綴的第三部分是字母 V，代表小數點，字母 V 之後的數字為穩壓管标稱穩定電壓的小數值。

2、整流二極管後綴是數字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。

3、晶閘管型号的後綴也是數字，通常标出最大反向峰值耐壓值和最大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。

如：BDX51－表示 NPN 矽低頻大功率三極管，AF239S－表示 PNP 鍺高頻小功率三極管。

五、歐洲早期半導體分立器件型号命名法

歐洲有些國家，如德國、荷蘭采用如下命名方法。

第一部分：O－表示半導體器件

第二部分：A－二極管、C－三極管、AP－光電二極管、CP－光電三極管、AZ－穩壓管、RP－光電器件。

第三部分：多位數字－表示器件的登記序号。

第四部分：A、B、C┄┄－表示同一型号器件的變型産品。

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