複雜繁瑣的芯片設計流程
芯片制造的過程就如同用樂高蓋房子一樣,先有晶圓作為地基,再層層往上疊的芯片制造流程後,就可産出必要的 IC 芯片(這些會在後面介紹)。然而,沒有設計圖,擁有再強制造能力都沒有用,因此,建築師的角色相當重要。但是IC 設計中的建築師究竟是誰呢?下面來對IC 設計做介紹。
在IC 生産流程中,IC 多由專業IC 設計公司進行規劃、設計,像是聯發科、高通、Intel 等知名大廠,都自行設計各自的IC 芯片,提供不同規格、效能的芯片給下遊廠商選擇。因為IC 是由各廠自行設計,所以IC 設計十分仰賴工程師的技術,工程師的素質影響着一間企業的價值。然而,工程師們在設計一顆IC 芯片時,究竟有那些步驟?設計流程可以簡單分成如下。
設計第一步,訂定目标
在IC設計中,最重要的步驟就是規格制定。這個步驟就像是在設計建築前,先決定要幾間房間、浴室,有什麼建築法規需要遵守,在确定好所有的功能之後在進行設計,這樣才不用再花額外的時間進行後續修改。IC 設計也需要經過類似的步驟,才能确保設計出來的芯片不會有任何差錯。
規格制定的第一步便是确定IC 的目的、效能為何,對大方向做設定。接着是察看有哪些協定要符合,像無線網卡的芯片就需要符合IEEE 802.11 等規範,不然,這芯片将無法和市面上的産品相容,使它無法和其他設備連線。最後則是确立這顆IC 的實作方法,将不同功能分配成不同的單元,并确立不同單元間連結的方法,如此便完成規格的制定。
設計完規格後,接着就是設計芯片的細節了。這個步驟就像初步記下建築的規畫,将整體輪廓描繪出來,方便後續制圖。在IC芯片中,便是使用硬體描述語言(HDL)将電路描寫出來。常使用的HDL有Verilog、VHDL等,藉由程式碼便可輕易地将一顆IC地功能表達出來。接着就是檢查程式功能的正确性并持續修改,直到它滿足期望的功能為止。
有了電腦,事情都變得容易
有了完整規畫後,接下來便是畫出平面的設計藍圖。在IC設計中,邏輯合成這個步驟便是将确定無誤的HDL code,放入電子設計自動化工具(EDA tool),讓電腦将HDLcode轉換成邏輯電路,産生如下的電路圖。之後,反覆的确定此邏輯閘設計圖是否符合規格并修改,直到功能正确為止。
最後,将合成完的程式碼再放入另一套EDA tool,進行電路布局與繞線(Place And Route)。在經過不斷的檢測後,便會形成如下的電路圖。圖中可以看到藍、紅、綠、黃等不同顔色,每種不同的顔色就代表着一張光罩。至于光罩究竟要如何運用呢?
層層光罩,疊起一顆芯片
首先,目前已經知道一顆IC 會産生多張的光罩,這些光罩有上下層的分别,每層有各自的任務。下圖為簡單的光罩例子,以積體電路中最基本的元件CMOS 為範例,CMOS 全名為互補式金屬氧化物半導體(Complementary metal–oxide–semiconductor),也就是将 NMOS 和 PMOS 兩者做結合,形成 CMOS。至于什麼是金屬氧化物半導體(MOS)?這種在芯片中廣泛使用的元件比較難說明,一般讀者也較難弄清,在這裡就不多加細究。
下圖中,左邊就是經過電路布局與繞線後形成的電路圖,在前面已經知道每種顔色便代表一張光罩。右邊則是将每張光罩攤開的樣子。制作是,便由底層開始,依循上一篇IC 芯片的制造中所提的方法,逐層制作,最後便會産生期望的芯片了。
至此,對于IC 設計應該有初步的了解,整體看來就很清楚IC 設計是一門非常複雜的專業,也多虧了電腦輔助軟體的成熟,讓IC 設計得以加速。IC 設計廠十分依賴工程師的智慧,這裡所述的每個步驟都有其專門的知識,皆可獨立成多門專業的課程,像是撰寫硬體描述語言就不單純的隻需要熟悉程式語言,還需要了解邏輯電路是如何運作、如何将所需的演算法轉換成程式、合成軟體是如何将程式轉換成邏輯閘等問題。
什麼是晶圓?
在半導體的新聞中,總是會提到以尺寸标示的晶圓廠,如8 寸或是12 寸晶圓廠,然而,所謂的晶圓到底是什麼東西?其中8 寸指的是什麼部分?要産出大尺寸的晶圓制造又有什麼難度呢?以下将逐步介紹半導體最重要的基礎——「晶圓」到底是什麼。
晶圓(wafer),是制造各式電腦芯片的基礎。我們可以将芯片制造比拟成用樂高積木蓋房子,藉由一層又一層的堆疊,完成自己期望的造型(也就是各式芯片)。然而,如果沒有良好的地基,蓋出來的房子就會歪來歪去,不合自己所意,為了做出完美的房子,便需要一個平穩的基闆。對芯片制造來說,這個基闆就是接下來将描述的晶圓。
首先,先回想一下小時候在玩樂高積木時,積木的表面都會有一個一個小小圓型的凸出物,藉由這個構造,我們可将兩塊積木穩固的疊在一起,且不需使用膠水。芯片制造,也是以類似這樣的方式,将後續添加的原子和基闆固定在一起。因此,我們需要尋找表面整齊的基闆,以滿足後續制造所需的條件。
在固體材料中,有一種特殊的晶體結構──單晶(Monocrystalline)。它具有原子一個接着一個緊密排列在一起的特性,可以形成一個平整的原子表層。因此,采用單晶做成晶圓,便可以滿足以上的需求。然而,該如何産生這樣的材料呢,主要有二個步驟,分别為純化以及拉晶,之後便能完成這樣的材料。
如何制造單晶的晶圓
純化分成兩個階段,第一步是冶金級純化,此一過程主要是加入碳,以氧化還原的方式,将氧化矽轉換成98% 以上純度的矽。大部份的金屬提煉,像是鐵或銅等金屬,皆是采用這樣的方式獲得足夠純度的金屬。但是,98% 對于芯片制造來說依舊不夠,仍需要進一步提升。因此,将再進一步采用西門子制程(Siemens process)作純化,如此,将獲得半導體制程所需的高純度多晶矽。
接着,就是拉晶的步驟。首先,将前面所獲得的高純度多晶矽融化,形成液态的矽。之後,以單晶的矽種(seed)和液體表面接觸,一邊旋轉一邊緩慢的向上拉起。至于為何需要單晶的矽種,是因為矽原子排列就和人排隊一樣,會需要排頭讓後來的人該如何正确的排列,矽種便是重要的排頭,讓後來的原子知道該如何排隊。最後,待離開液面的矽原子凝固後,排列整齊的單晶矽柱便完成了。
然而,8寸、12寸又代表什麼東西呢?他指的是我們産生的晶柱,長得像鉛筆筆桿的部分,表面經過處理并切成薄圓片後的直徑。至于制造大尺寸晶圓又有什麼難度呢?如前面所說,晶柱的制作過程就像是在做棉花糖一樣,一邊旋轉一邊成型。有制作過棉花糖的話,應該都知道要做出大而且紮實的棉花糖是相當困難的,而拉晶的過程也是一樣,旋轉拉起的速度以及溫度的控制都會影響到晶柱的品質。也因此,尺寸愈大時,拉晶對速度與溫度的要求就更高,因此要做出高品質12 寸晶圓的難度就比8 寸晶圓還來得高。
隻是,一整條的矽柱并無法做成芯片制造的基闆,為了産生一片一片的矽晶圓,接着需要以鑽石刀将矽晶柱橫向切成圓片,圓片再經由抛光便可形成芯片制造所需的矽晶圓。經過這麼多步驟,芯片基闆的制造便大功告成,下一步便是堆疊房子的步驟,也就是芯片制造。至于該如何制作芯片呢?
層層堆疊打造的芯片
在介紹過矽晶圓是什麼東西後,同時,也知道制造IC 芯片就像是用樂高積木蓋房子一樣,藉由一層又一層的堆疊,創造自己所期望的造型。然而,蓋房子有相當多的步驟,IC 制造也是一樣,制造IC 究竟有哪些步驟?本文将就IC 芯片制造的流程做介紹。
在開始前,我們要先認識IC 芯片是什麼。IC,全名積體電路(Integrated Circuit),由它的命名可知它是将設計好的電路,以堆疊的方式組合起來。藉由這個方法,我們可以減少連接電路時所需耗費的面積。下圖為IC 電路的3D 圖,從圖中可以看出它的結構就像房子的樑和柱,一層一層堆疊,這也就是為何會将IC 制造比拟成蓋房子。
從上圖中IC 芯片的3D 剖面圖來看,底部深藍色的部分就是上一篇介紹的晶圓,從這張圖可以更明确的知道,晶圓基闆在芯片中扮演的角色是何等重要。至于紅色以及土黃色的部分,則是于 IC 制作時要完成的地方。
首先,在這裡可以将紅色的部分比拟成高樓中的一樓大廳。一樓大廳,是一棟房子的門戶,出入都由這裡,在掌握交通下通常會有較多的機能性。因此,和其他樓層相比,在興建時會比較複雜,需要較多的步驟。在IC 電路中,這個大廳就是邏輯閘層,它是整顆IC 中最重要的部分,藉由将多種邏輯閘組合在一起,完成功能齊全的IC 芯片。
黃色的部分,則像是一般的樓層。和一樓相比,不會有太複雜的構造,而且每層樓在興建時也不會有太多變化。這一層的目的,是将紅色部分的邏輯閘相連在一起。之所以需要這麼多層,是因為有太多線路要連結在一起,在單層無法容納所有的線路下,就要多疊幾層來達成這個目标了。在這之中,不同層的線路會上下相連以滿足接線的需求。
分層施工,逐層架構
知道IC 的構造後,接下來要介紹該如何制作。試想一下,如果要以油漆噴罐做精細作圖時,我們需先割出圖形的遮蓋闆,蓋在紙上。接着再将油漆均勻地噴在紙上,待油漆乾後,再将遮闆拿開。不斷的重複這個步驟後,便可完成整齊且複雜的圖形。制造IC 就是以類似的方式,藉由遮蓋的方式一層一層的堆疊起來。
制作 IC 時,可以簡單分成以上4 種步驟。雖然實際制造時,制造的步驟會有差異,使用的材料也有所不同,但是大體上皆采用類似的原理。這個流程和油漆作畫有些許不同,IC 制造是先塗料再加做遮蓋,油漆作畫則是先遮蓋再作畫。以下将介紹各流程。
金屬濺鍍:将欲使用的金屬材料均勻灑在晶圓片上,形成一薄膜。
塗布光阻:先将光阻材料放在晶圓片上,透過光罩(光罩原理留待下次說明),将光束打在不要的部分上,破壞光阻材料結構。接着,再以化學藥劑将被破壞的材料洗去。
蝕刻技術:将沒有受光阻保護的矽晶圓,以離子束蝕刻。
光阻去除:使用去光阻液皆剩下的光阻溶解掉,如此便完成一次流程。
最後便會在一整片晶圓上完成很多IC 芯片,接下來隻要将完成的方形IC 芯片剪下,便可送到封裝廠做封裝,至于封裝廠是什麼東西?就要待之後再做說明。
納米制程是什麼?
三星以及台積電在先進半導體制程打得相當火熱,彼此都想要在晶圓代工中搶得先機以争取訂單,幾乎成了14 納米與16 納米之争,然而14 納米與16 納米這兩個數字的究竟意義為何,指的又是哪個部位?而在縮小制程後又将來帶來什麼好處與難題?以下我們将就納米制程做簡單的說明。
納米到底有多細微?
在開始之前,要先了解納米究竟是什麼意思。在數學上,納米是0.000000001 公尺,但這是個相當差的例子,畢竟我們隻看得到小數點後有很多個零,卻沒有實際的感覺。如果以指甲厚度做比較的話,或許會比較明顯。
用尺規實際測量的話可以得知指甲的厚度約為0.0001 公尺(0.1 毫米),也就是說試着把一片指甲的側面切成10 萬條線,每條線就約等同于1 納米,由此可略為想像得到 1 納米是何等的微小了。
知道納米有多小之後,還要理解縮小制程的用意,縮小電晶體的最主要目的,就是可以在更小的芯片中塞入更多的電晶體,讓芯片不會因技術提升而變得更大;其次,可以增加處理器的運算效率;再者,減少體積也可以降低耗電量;最後,芯片體積縮小後,更容易塞入行動裝置中,滿足未來輕薄化的需求。
再回來探究納米制程是什麼,以14 納米為例,其制程是指在芯片中,線最小可以做到14 納米的尺寸,下圖為傳統電晶體的長相,以此作為例子。縮小電晶體的最主要目的就是為了要減少耗電量,然而要縮小哪個部分才能達到這個目的?左下圖中的L 就是我們期望縮小的部分。藉由縮小閘極長度,電流可以用更短的路徑從 Drain 端到 Source 端(有興趣的話可以利用Google 以MOSFET 搜尋,會有更詳細的解釋)。
尺寸縮小有其物理限制
不過,制程并不能無限制的縮小,當我們将電晶體縮小到 20 納米左右時,就會遇到量子物理中的問題,讓電晶體有漏電的現象,抵銷縮小 L 時獲得的效益。作為改善方式,就是導入 FinFET(Tri-Gate)這個概念,如右上圖。在 Intel 以前所做的解釋中,可以知道藉由導入這個技術,能減少因物理現象所導緻的漏電現象。
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最後,則是為什麼會有人說各大廠進入10 納米制程将面臨相當嚴峻的挑戰,主因是1 顆原子的大小大約為0.1 納米,在10 納米的情況下,一條線隻有不到100 顆原子,在制作上相當困難,而且隻要有一個原子的缺陷,像是在制作過程中有原子掉出或是有雜質,就會産生不知名的現象,影響産品的良率。
如果無法想像這個難度,可以做個小實驗。在桌上用 100 個小珠子排成一個10×10 的正方形,并且剪裁一張紙蓋在珠子上,接着用小刷子把旁邊的的珠子刷掉,最後使他形成一個10×5 的長方形。這樣就可以知道各大廠所面臨到的困境,以及達成這個目标究竟是多麼艱巨。
随着三星以及台積電在近期将完成 14 納米、16 納米FinFET 的量産,兩者都想争奪 Apple 下一代的 iPhone 芯片代工,我們将看到相當精彩的商業競争,同時也将獲得更加省電、輕薄的手機,要感謝摩爾定律所帶來的好處呢。
告訴你什麼是封裝
經過漫長的流程,從設計到制造,終于獲得一顆 IC 芯片了。然而一顆芯片相當小且薄,如果不在外施加保護,會被輕易的刮傷損壞。此外,因為芯片的尺寸微小,如果不用一個較大尺寸的外殼,将不易以人工安置在電路闆上。因此,本文接下來要針對封裝加以描述介紹。
目前常見的封裝有兩種,一種是電動玩具内常見的,黑色長得像蜈蚣的DIP 封裝,另一為購買盒裝 CPU 時常見的 BGA 封裝。至于其他的封裝法,還有早期CPU 使用的PGA(Pin Grid Array;Pin Grid Array)或是 DIP 的改良版QFP(塑料方形扁平封裝)等。因為有太多種封裝法,以下将對 DIP 以及 BGA 封裝做介紹。
傳統封裝,曆久不衰
首先要介紹的是雙排直立式封裝(Dual Inline Package;DIP),從下圖可以看到采用此封裝的IC 芯片在雙排接腳下,看起來會像條黑色蜈蚣,讓人印象深刻,此封裝法為最早采用的IC 封裝技術,具有成本低廉的優勢,适合小型且不需接太多線的芯片。但是,因為大多采用的是塑料,散熱效果較差,無法滿足現行高速芯片的要求。因此,使用此封裝的,大多是曆久不衰的芯片,如下圖中的OP741,或是對運作速度沒那麼要求且芯片較小、接孔較少的IC 芯片。
至于球格陣列(Ball Grid Array,BGA)封裝,和DIP 相比封裝體積較小,可輕易的放入體積較小的裝置中。此外,因為接腳位在芯片下方,和DIP 相比,可容納更多的金屬接腳
相當适合需要較多接點的芯片。然而,采用這種封裝法成本較高且連接的方法較複雜,因此大多用在高單價的産品上。
行動裝置興起,新技術躍上舞台
然而,使用以上這些封裝法,會耗費掉相當大的體積。像現在的行動裝置、穿戴裝置等,需要相當多種元件,如果各個元件都獨立封裝,組合起來将耗費非常大的空間,因此目前有兩種方法,可滿足縮小體積的要求,分别為 SoC(System On Chip)以及 SiP(System In Packet)。
在智慧型手機剛興起時,在各大财經雜誌上皆可發現SoC 這個名詞,然而SoC 究竟是什麼東西?簡單來說,就是将原本不同功能的IC,整合在一顆芯片中。藉由這個方法,不單可以縮小體積,還可以縮小不同IC 間的距離,提升芯片的計算速度。至于制作方法,便是在IC 設計階段時,将各個不同的IC 放在一起,再透過先前介紹的設計流程,制作成一張光罩。
然而,SoC 并非隻有優點,要設計一顆SoC 需要相當多的技術配合。IC 芯片各自封裝時,各有封裝外部保護,且IC 與IC 間的距離較遠,比較不會發生交互幹擾的情形。但是,當将所有IC 都包裝在一起時,就是噩夢的開始。IC 設計廠要從原先的單純設計IC,變成了解并整合各個功能的IC,增加工程師的工作量。此外,也會遇到很多的狀況,像是通訊芯片的高頻訊号可能會影響其他功能的 IC 等情形。
此外,SoC 還需要獲得其他廠商的IP(intellectual property)授權,才能将别人設計好的元件放到SoC 中。因為制作SoC 需要獲得整顆IC 的設計細節,才能做成完整的光罩,這同時也增加了SoC 的設計成本。或許會有人質疑何不自己設計一顆就好了呢?因為設計各種IC 需要大量和該IC 相關的知識,隻有像Apple 這樣多金的企業,才有預算能從各知名企業挖角頂尖工程師,以設計一顆全新的IC,透過合作授權還是比自行研發劃算多了。
折衷方案,SiP 現身
作為替代方案,SiP 躍上整合芯片的舞台。和SoC 不同,它是購買各家的IC,在最後一次封裝這些IC,如此便少了IP 授權這一步,大幅減少設計成本。此外,因為它們是各自獨立的IC,彼此的幹擾程度大幅下降。
Apple Watch 采用SiP 技術将整個電腦架構封裝成一顆芯片,不單滿足期望的效能還縮小體積,讓手錶有更多的空間放電池。
采用 SiP 技術的産品,最着名的非 Apple Watch 莫屬。因為Watch 的内部空間太小,它無法采用傳統的技術,SoC 的設計成本又太高,SiP 成了首要之選。藉由SiP 技術,不單可縮小體積,還可拉近各個IC 間的距離,成為可行的折衷方案。下圖便是Apple Watch 芯片的結構圖,可以看到相當多的IC 包含在其中。
完成封裝後,便要進入測試的階段,在這個階段便要确認封裝完的 IC 是否有正常的運作,正确無誤之後便可出貨給組裝廠,做成我們所見的電子産品。
“簡化芯片設計 軟件定義硬件”,無論我們承不承認,SDH是集成電路發展的未來,特别是摩爾定律窮途末路的今天,ARM FPGA無法打破快速可重構的牢籠,唯速度論沒有錯,成敗的臨界有時就是時間,是時候從FPGA的LUT中抽離出來,尋找一些新鮮的東西,深度學習不止是AlphaGo的昙花一現,在有限的芯片面積上實現無限的電路算法,動态可重構才是IC設計的未來。
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