IT之家訊 随着智能手機面對的應用場景日益複雜、以及用戶對大型應用、高清視頻等需求的增加,如今的手機存儲芯片面臨的壓力越來越大。
三星新近推出的Galaxy S6以及S6 Edge均采用了基于UFS 2.0技術的存儲芯片,采用命令隊列(Command Queue)技術,直接通過串行接口加快命令執行速度。
其随機讀寫速度達到了驚人的19000 IOPS,是常用的eMMC 5.0嵌入式内存(7000 IOPS)的2.7倍,普通高速内存卡(1500 IOPS)的12倍。這對于手機響應速度的提升作用十分明顯。
同為内存大廠的東芝,現在也推出了全新的eMMC 5.1規格閃存。也支持命令行序列,能夠大幅度提升閃存的性能表現,另外還支持安全寫保護功能,以提升安全性。值得一提的是,雖然提升顯著,但eMMC 5.1依然落後UFS技術,随機讀寫性能在11000-13000 IOPS左右。
東芝這次推出了四款eMMC 5.1産品,容量分别為16GB、32GB、64GB和128GB,封裝尺寸為11.5*13mm,厚度則根據容量從0.8mm到1.2mm不等。今年第二季度将正式量産,也許不久的将來我們就将在智能手機上大量見到該産品的身影。
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