mos管基本特性是什麼?MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的隻有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種，我來為大家講解一下關于mos管基本特性是什麼?跟着小編一起來看一看吧!

mos管基本特性是什麼

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的隻有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

一般情況下普遍用于高端驅動的MOS，導通時需要是栅極電壓大于源極電壓，而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時栅極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統裡，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合适的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。

MOS管是電壓驅動，按理說隻要栅極電壓到到開啟電壓就能導通DS，栅極串多大電阻均能導通。但如果要求開關頻率較高時，栅對地或VCC可以看做是一個電容，對于一個電容來說，串的電阻越大，栅極達到導通電壓時間越長，MOS處于半導通狀态時間也越長，在半導通狀态内阻較大，發熱也會增大，極易損壞MOS，所以高頻時栅極栅極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。

MOS管開關的基礎知識

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的隻有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS —— 原因是導通電阻小，且容易制造，所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制産生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，後邊再詳細介紹。

在MOS管的漏極和源極之間有一個寄生二極管，這個叫體二極管，在驅動感性負載（如馬達），這個二極管很重要。順便說一句，體二極管隻在單個的MOS管中存在，在集成電路芯片内部通常是沒有的。

導通的意思是作為開關，相當于開關閉合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，适合用于源極接地時的情況（低端驅動），隻要栅極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，适合用于源極接VCC時的情況（高端驅動）。

但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。

不管是NMOS還是PMOS，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間内，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。

導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小單位時間内的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。

跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，隻要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。

在MOS管的結構中可以看到，在GS和GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

而在進行MOSFET的選擇時，因為MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的栅極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個内阻，稱為導通電阻RDS（ON）。

必須清楚MOSFET的栅極是個高阻抗端，因此，總是要在栅極加上一個電壓，這就是後面介紹電路圖中栅極所接電阻至地。如果栅極為懸空，器件将不能按設計意圖工作，并可能在不恰當的時刻導通或關閉，導緻系統産生潛在的功率損耗。當源極和栅極間的電壓為零時，開關關閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經關閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。

第一步：選用N溝道還是P溝道

為設計選擇正确器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到幹線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOSFET，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。

當MOSFET連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅動的考慮。

第二步：确定額定電流

第二步是選擇MOSFET的額定電流，視電路結構而定，該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設計人員必須确保所選的MOSFET能承受這個額定電流，即使在系統産生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈沖尖峰。

在連續導通模式下，MOSFET處于穩态，此時電流連續通過器件。脈沖尖峰是指有大量電湧（或尖峰電流）流過器件，一旦确定了這些條件下的最大電流，隻需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。

選好額定電流後，還必須計算導通損耗。在實際情況下，MOSFET并不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能損耗，這稱之為導通損耗。MOSFET在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随溫度而顯着變化。

器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由于導通電阻随溫度變化，因此功率耗損也會随之按比例變化。對MOSFET施加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會越小，反之RDS（ON）就會越高。

對系統設計人員來說，這就是取決于系統電壓而需要折中權衡的地方。對便攜式設計來說，采用較低的電壓比較容易（較為普遍），而對于工業設計，可采用較高的電壓。注意RDS（ON）電阻會随着電流輕微上升，關于RDS（ON）電阻的各種電氣參數變化可在制造商提供的技術資料表中查到。

第三步：确定熱要求

選擇MOSFET的下一步是計算系統的散熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實情況。建議采用針對最壞情況的計算結果，因為這個結果提供更大的安全餘量，能确保系統不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數據，比如封裝器件的半導體結與環境之間的熱阻，以及最大的結溫。

器件的結溫等于最大環境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積（結溫=最大環境溫度 [熱阻×功率耗散]），根據這個方程可解出系統的最大功率耗散，即按定義相等于I2×RDS（ON）。由于設計人員已确定将要通過器件的最大電流，因此可以計算出不同溫度下的RDS（ON）。值得注意的是，在處理簡單熱模型時，設計人員還必須考慮半導體結/器件外殼及外殼/環境的熱容量，即要求印刷電路闆和封裝不會立即升溫。

通常，一個PMOS管，會有寄生的二極管存在，該二極管的作用是防止源漏端反接，對于PMOS而言，比起NMOS的優勢在于它的開啟電壓可以為0,而DS電壓之間電壓相差不大，而NMOS的導通條件要求VGS要大于阈值，這将導緻控制電壓必然大于所需的電壓，會出現不必要的麻煩。

選用PMOS作為控制開關，有下面兩種應用：

由PMOS來進行電壓的選擇，當V8V存在時，此時電壓全部由V8V提供，将PMOS關閉，VBAT不提供電壓給VSIN，而當V8V為低時，VSIN由8V供電。注意R120的接地，該電阻能将栅極電壓穩定地拉低，确保PMOS的正常開啟，這也是前文所描述的栅極高阻抗所帶來的狀态隐患。D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌。D9可以省略。這裡要注意到實際上該電路的DS接反，這樣由附生二極管導通導緻了開關管的功能不能達到，實際應用要注意。

來看這個電路，控制信号PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電。此電路中，源漏兩端沒有接反，R110與R113存在的意義在于R110控制栅極電流不至于過大，R113控制栅極的常态，将R113上拉為高，截至PMOS，同時也可以看作是對控制信号的上拉。當MCU内部管腳并沒有上拉時，即輸出為開漏時，并不能驅動PMOS關閉，此時，就需要外部電壓給予的上拉，所以電阻R113起到了兩個作用。R110可以更小，到100歐姆也可。

靜态特性

MOS管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀态。由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由栅源電壓uGS決定其工作狀态。

工作特性如下：

uGS開啟電壓UT：MOS管工作在截止區，漏源電流iDS基本為0，輸出電壓uDS≈UDD，MOS管處于“斷開”狀态，其等效電路如下圖所示。

uGS>開啟電壓UT：MOS管工作在導通區，漏源電流iDS=UDD/（RD rDS）。其中，rDS為MOS管導通時的漏源電阻。輸出電壓UDS=UDD·rDS/（RD rDS），如果rDS《RD，則uDS≈0V，MOS管處于“接通”狀态，其等效電路如上圖（c）所示。

動态特性

MOS管在導通與截止兩種狀态發生轉換時同樣存在過渡過程，但其動态特性主要取決于與電路有關的雜散電容充、放電所需的時間，而管子本身導通和截止時電荷積累和消散的時間是很小的。下圖分别給出了一個NMOS管組成的電路及其動态特性示意圖。

NMOS管動态特性示意圖

當輸入電壓ui由高變低，MOS管由導通狀态轉換為截止狀态時，電源UDD通過RD向雜散電容CL充電，充電時間常數τ1=RDCL，所以，輸出電壓uo要通過一定延時才由低電平變為高電平。

當輸入電壓ui由低變高，MOS管由截止狀态轉換為導通狀态時，雜散電容CL上的電荷通過rDS進行放電，其放電時間常數τ2≈rDSCL。可見，輸出電壓Uo也要經過一定延時才能轉變成低電平。但因為rDS比RD小得多，所以，由截止到導通的轉換時間比由導通到截止的轉換時間要短。

由于MOS管導通時的漏源電阻rDS比晶體三極管的飽和電阻rCES要大得多，漏極外接電阻RD也比晶體管集電極電阻RC大，所以，MOS管的充、放電時間較長，使MOS管的開關速度比晶體三極管的開關速度低。不過，在CMOS電路中，由于充電電路和放電電路都是低阻電路，因此，其充、放電過程都比較快，從而使CMOS電路有較高的開關速度。

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