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三星7nm芯片量産

生活 更新时间:2024-11-24 07:55:11

IT之家 4 月 28 日消息,三星電子周四宣布,将在本季度 (即未來幾周内) 開始使用 3GAE (早期 3nm 級栅極全能) 工藝進行大規模生産。這不僅标志着業界首創 3nm 級制造技術,也是首個使用環栅場效應晶體管 (GAAFETs) 的節點。

“這是世界上首次大規模生産的 GAA 3 納米工藝,将以此提高技術領先地位,”三星在一份報告中寫道。

三星7nm芯片量産(三星3nm芯片将于第二季度開始量産)1

三星 Foundry 的 3GAE 工藝技術是首次使用 GAA 晶體管 (三星将其稱為“多橋溝道場效應晶體管 (MBCFET)”) 工藝。

三星7nm芯片量産(三星3nm芯片将于第二季度開始量産)2

IT之家了解到,三星大約在三年前正式推出了其 3GAE 和 3GAP 工藝節點。當該公司描述 使用其 3GAE 技術生産的 256Mb GAAFET SRAM 芯片時,它拿出了許多數據。

三星7nm芯片量産(三星3nm芯片将于第二季度開始量産)3

三星表示,該工藝将實現 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高達 80% 的晶體管密度(包括邏輯和 SRAM 晶體管的混合)。不過,三星的性能和功耗的實際組合将如何發揮作用還有待觀察。

理論上,與目前使用的 Finfet 相比,Gaafet 有許多優勢,例如可大大降低晶體管漏電流 (即,降低功耗) 以及挖掘晶體管性能的潛在實力,這意味着更高的産率、和改進的産能。此外,根據應用材料公司最近的報告,GAAFETs 還可以減少 20% 至 30% 的面積。

當然,三星的 3GAE 隻是一種“早期”的 3nm 級制造技術,3GAE 将主要由三星 LSI(三星的芯片開發部門)以及可能一兩個 SF 的其他 alpha 客戶使用。如果這些産品的産量和性能符合預期,那麼不久之後我們就可以看到新品大量出貨了。

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