SK海力士宣布已開發出1Ynm 8Gb(Gigabits)DDR4(雙倍數據速率4)DRAM。與上一代1Xnm DRAM相比,該産品的生産率提高了20%,功耗降低了15%以上。
新發布的内存條将支持高達3,200Mbps的數據傳輸速率,這是DDR4接口中最快的數據處理速度。該公司采用“4相時鐘”方案,使時鐘信号加倍,以提高數據傳輸速度和穩定性。
SK海力士還推出了自己的'Sense Amp'控制技術,以減少功耗和數據錯誤。憑借這項技術,公司成功地提高了讀取寫入的性能。SK海力士改進了晶體管結構,降低了數據傳輸出錯的可能性。該公司還在電路中增加了一個低功耗電源,以防止不必要的能耗。
“這款1Ynm 8Gb DDR4 DRAM為客戶提供了最佳的性能和矽密度,”DRAM營銷主管Sean Kim副總裁說。“SK海力士計劃從明年第一季度開始出貨,積極響應市場需求。“
SK海力士計劃将1Ynm技術流程擴展到服務器和PC領域,後來擴展到其他各種應用,如移動手機等設備。
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