半導體材料專家
中國工程院院士
中國科學院半導體所研究員梁駿吾
因病醫治無效
于2022年6月23日在北京逝世
享年89歲
梁駿吾院士
1933年9月18日生于湖北武漢
1955年畢業于武漢大學物理專業
1956年至1960年就讀于
前蘇聯科學院莫斯科巴依可夫冶金研究所
并獲得副博士學位
1997年當選中國工程院院士
他從事半導體材料
科學研究工作六十多年
是我國早期半導體矽材料的奠基人
上世紀60年代
解決了高純區熔矽的關鍵技術
1964年制備出
室溫激光器用GaAs液相外延材料
1979年研制成功
為大規模集成電路用的
無位錯、無旋渦、低微缺陷
低碳、可控氧量的
優質矽區熔單晶
80年代首創了
摻氮中子嬗變矽單晶
解決了矽片的完整性和均勻性的問題
90年代初
研究MOCVD生長超晶格量子阱材料
在晶體完整性、電學性能
和超晶格結構控制方面
将中國超晶格量子阱材料
推進到實用水平
他還在太陽電池用多晶矽的
研究和産業化等方面
發揮着積極作用
梁駿吾院士
一生與半導體材料科研事業相伴
他曾在采訪中說
希望通過自己的科研經曆
帶給年輕科研人員一些啟發
讓他們看到這份事業可以有所作為
讓他們覺得自己同樣能夠作出成績
斯人已逝
精神永駐
熠熠生輝的名字
值得我們永遠銘記
痛别!
梁駿吾院士
一路走好!
來源:新華網微信綜合光明日報、中科院半導體所(ID:bdtdsj)
監制:劉洪 陳璟春
編輯:劉怡然
校對:梁甜甜 貴婷
痛别!一路走好!
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